半導体レーザ装置とその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山口邦夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992258613
Publication number (International publication number)：1994112579
Application date： Sep. 28, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】反射、透過の連続した分布を端面に持つ半導体レーザ装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【構成】端面9に、該端面の酸化を防止するための端面保護膜10aと、反射率を制御するための光学薄膜11aとを有する半導体レーザ装置であって、前記端面保護膜10aが連続的に変化する膜厚を有し、且つ前記光学薄膜11aが一定の膜厚を有してなる。

Claim (excerpt)：

端面に、該端面の酸化を防止するための端面保護膜と、反射率を制御するための光学薄膜とを有する半導体レーザ装置であって、前記端面保護膜が連続的に変化する膜厚を有し、且つ前記光学薄膜が一定の膜厚を有してなることを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特開昭59-119890
特開昭59-119890
特開昭62-104093

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