絶縁膜の形成方法および半導体装置の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001366937
Publication number (International publication number)：2002246383
Application date： Nov. 30, 2001
Publication date： Aug. 30, 2002
Summary：

【要約】【課題】低い誘電率と高いクラック耐性とを備えた、有機シリコン酸化膜からなる絶縁膜を塗布法により形成する方法を提供する。【解決手段】メチルポリシロキサンを主成分とし重量平均分子量が10倍以上異なる第1および第2のポリマーを溶媒に溶解して薬液を調製する工程と、半導体基板上に、前記薬液を塗布して塗膜を形成する工程と、前記塗膜に熱処理を施すことにより、前記第1および第2のポリマーを熱重合させて有機シリコン酸化膜を形成する工程とを具備する方法である。前記第1のポリマーの重量平均分子量は、前記第2のポリマーの重量平均分子量の100倍以上であることが好ましい。

Claim (excerpt)：

メチルポリシロキサンを主成分とし重量平均分子量が10倍以上異なる第1および第2のポリマーを溶媒に溶解して薬液を調製する工程と、半導体基板上に、前記薬液を塗布して塗膜を形成する工程と、前記塗膜に熱処理を施すことにより、前記第1および第2のポリマーを熱重合させて有機シリコン酸化膜を形成する工程とを具備する絶縁膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/312 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (5)：

H01L 21/312 C , H01L 21/90 S , H01L 21/90 Q , H01L 21/90 V , H01L 21/88 K

F-Term (32)：

5F033HH11 , 5F033HH32 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ32 , 5F033KK11 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ02 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ48 , 5F033QQ54 , 5F033QQ74 , 5F033RR23 , 5F033SS22 , 5F033XX02 , 5F033XX25 , 5F033XX34 , 5F058AA02 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開昭57-131250
膜形成用組成物、膜の形成方法および絶縁膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-220271 Applicant：ジェイエスアール株式会社
膜形成用組成物、膜の形成方法および絶縁膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-220270 Applicant：ジェイエスアール株式会社

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