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J-GLOBAL ID：200903081343428885

膜形成用組成物、膜の形成方法および絶縁膜

Inventor： 黒澤 孝彦 ,  林 英治 ,  徐 榮秀 ,  塩田 淳 ,  山田 欣司
Applicant, Patent owner： ジェイエスアール株式会社
Agent (1)： 白井 重隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000220270
Publication number (International publication number)：2001164185
Application date： Jul. 21, 2000
Publication date： Jun. 19, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な、低誘電率、高弾性率の膜が得られるポリオルガノシロキサン系の膜形成用組成物を提供する。【解決手段】 (A)、下記一般式(1)、(2)、(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種をアルカリ金属触媒の存在下に加水分解し、縮合した縮合物と、(B)下記一般式(1)、(2)、(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種を金属キレート化合物触媒の存在下に加水分解し、縮合した縮合物、とを含有する膜形成組成物。Ra (Si)(OR1 )4-a ............(1)Si(OR2 )4...............(2)R3 b (R4 O)3-b Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-c R6c ...(3)(式中Rは水素原子、フッ素原子、又は一価の有機基、R1〜R6は一価の有機基、R7は酸素原子、フェニレン基又は-(CH2)n-、aは1〜2の整数、b、cは0〜2の数、dは0または1、nは1〜6の整数を示す。)

Claim (excerpt)：

(A)下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物をアルカリ触媒の存在下に加水分解し、縮合した加水分解縮合物、ならびに(B)下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を金属キレート化合物触媒の存在下に加水分解し、縮合した加水分解縮合物を含有することを特徴とする膜形成用組成物。Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(1)(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)Si(OR2 )4 ・・・・・(2)(式中、R2 は1価の有機基を示す。) R3 b (R4 O)3-b Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-c R6 c ・・・・・(3)〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、b〜cは同一または異なり、0〜2の整数、R7 は酸素原子、フェニレン基または-(CH2)n -で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕

IPC (5)：

C09D183/04 ,  C09D183/02 ,  C09D183/14 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316

FI (5)：

C09D183/04 ,  C09D183/02 ,  C09D183/14 ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G

F-Term (36)：

4J038DL021 ,  4J038DL022 ,  4J038DL031 ,  4J038DL032 ,  4J038DL041 ,  4J038DL042 ,  4J038DL161 ,  4J038DL162 ,  4J038GA07 ,  4J038GA12 ,  4J038HA176 ,  4J038HA216 ,  4J038JB01 ,  4J038JB03 ,  4J038JB04 ,  4J038JB09 ,  4J038JB25 ,  4J038JB39 ,  4J038JC38 ,  4J038KA04 ,  4J038LA03 ,  4J038MA07 ,  4J038MA10 ,  4J038MA14 ,  4J038NA21 ,  4J038PA19 ,  4J038PB09 ,  4J038PC02 ,  4J038PC03 ,  5F058AA10 ,  5F058AB07 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 特開平3-263476
  
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-118584   Applicant：触媒化成工業株式会社
• 低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液および低誘電率被膜付基材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-299684   Applicant：触媒化成工業株式会社
• 特開平4-247427
  
• 膜形成用組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-331449   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• シリカコーティング膜形成用塗布液
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-357881   Applicant：住友化学工業株式会社
• 光学的に透明な水素シルセスキオキサン樹脂組成物、その製造方法及び酸化ケイ素膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-258849   Applicant：ダウコーニングアジア株式会社
• 特開昭63-258959