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J-GLOBAL ID：200903076017912897

成膜処理装置及び成膜処理方法

Inventor：
神力 博

About 神力 博

, 
松本 賢治

About 松本 賢治


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999245836
Publication number (International publication number)：2001077109
Application date： Aug. 31, 1999
Publication date： Mar. 23, 2001
Summary：
【要約】【課題】 多元素の金属酸化物を用いた膜中における元素組成の均一性を高く維持することができ、しかも成膜速度も大きなガス導入構造を提供する。【解決手段】 原料ガスと酸化剤ガスとを処理容器4内に導入し、被処理体Wに所定の膜を成膜する成膜処理装置であって、前記原料ガスと酸化剤ガスとを前記処理容器内に導入可能に構成された処理ガス導入手段50と、前記処理容器内を所定の真空度に排気可能に構成された排気手段10,12,14と、成膜処理工程の際、第1の真空雰囲気時には、前記原料ガスを前記被処理体中央部付近に、かつ、前記酸化剤ガスを前記被処理体周辺部付近に供給し、さらに、第1の真空雰囲気により高圧の第2の真空雰囲気時には、前記原料ガスと前記酸化剤ガスとを前記被処理体略全面に対して供給可能に構成された、処理ガス供給手段67A〜67E,90とを設ける。これにより、多元素の金属酸化物を用いた膜中における元素組成の均一性を高く維持することができ、しかも成膜速度も大きくすることが可能となる。
Claim (excerpt)：
原料ガスと酸化剤ガスとを処理容器内に導入し、被処理体に所定の膜を成膜する成膜処理装置であって、前記原料ガスと酸化剤ガスとを前記処理容器内に導入可能に構成された処理ガス導入手段と、前記処理容器内を所定の真空度に排気可能に構成された排気手段と、成膜処理工程の際、第1の真空雰囲気時には、前記原料ガスを前記被処理体中央部付近に、かつ、前記酸化剤ガスを前記被処理体周辺部付近に供給し、さらに、第1の真空雰囲気により高圧の第2の真空雰囲気時には、前記原料ガスと前記酸化剤ガスとを前記被処理体略全面に対して供給可能に構成された、処理ガス供給手段と、を備えたことを特徴とする成膜処理装置。
IPC (3)：
H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31
FI (3)：
H01L 21/316 X ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31 B
F-Term (50)：
4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA24 ,  4K030BA01 ,  4K030BA18 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030HA01 ,  4K030JA03 ,  4K030JA09 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AD08 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045BB07 ,  5F045DC55 ,  5F045DC63 ,  5F045DP03 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB02 ,  5F045EE04 ,  5F045EE05 ,  5F045EF04 ,  5F045EF05 ,  5F045EF08 ,  5F045EK07 ,  5F045HA16 ,  5F045HA22 ,  5F058BA06 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BF04 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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