絶縁膜形成装置及び絶縁膜形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994087957
Publication number (International publication number)：1995283210
Application date： Apr. 01, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】絶縁膜の初期成膜段階から絶縁膜の一定速度での成膜を可能にし、絶縁膜の成膜制御性を高め、且つ、所定の良好で均一な特性を有す絶縁膜を形成することができる絶縁膜形成装置、及び絶縁膜形成方法を提供する。【構成】反応性ガスを用いて基体50の表面に絶縁膜を形成する本発明の絶縁膜形成装置は、反応性ガス源10、絶縁膜形成室20、及び反応性ガス源と絶縁膜形成室とを結ぶ反応性ガス導入管30を少なくとも備え、反応性ガス導入管30には反応性ガスを外部に排気する排気手段40が設けられている。絶縁膜形成方法は、反応性ガスの流量及び/又は組成が所定の値となるまで反応性ガスを系外に排気し続け、反応性ガスの流量及び/又は組成が所定の値となった後、かかる反応性ガスを用いて基体の表面に絶縁膜を形成する。

Claim (excerpt)：

反応性ガスを用いて基体表面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成装置であって、反応性ガス源、絶縁膜形成室、及び該反応性ガス源と絶縁膜形成室とを結ぶ反応性ガス導入管を少なくとも備え、該反応性ガス導入管には反応性ガスを外部に排気する排気手段が設けられていることを特徴とする絶縁膜形成装置。

IPC (2)：

H01L 21/31 , H01L 21/316

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭63-184339
特開昭64-008632
多ガス反応式表面処理装置におけるガス供給装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-282812 Applicant：ローム株式会社

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