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J-GLOBAL ID:200903076030043040

ダイボンディング方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 船橋 國則
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993063400
Publication number (International publication number):1994252182
Application date: Feb. 25, 1993
Publication date: Sep. 09, 1994
Summary:
【要約】【目的】 本発明は、リードフレームに対して、チップとリードフレームとの接合強度(ダイシア強度)を強化する処理を行うことにより、ワイヤボンディング時におけるチップの剥離を防止して、歩留りの向上を図る。【構成】 表面にめっき層13を形成したリードフレーム11に、当該めっき層13中のガス21を放出させるとともに当該メッキ層13の表面に付着している汚染物質22を除去する接合強化処理1を行う。その後、ダイボンディング2によって、処理を行ったリードフレーム11にチップ15を接合する。上記接合強化処理1は、加熱処理または紫外線照射処理またはその両方を併用して行う。
Claim (excerpt):
表面にめっき層を形成したリードフレームに対して、当該めっき層中のガスを放出させるとともに当該メッキ層表面に付着した汚染物質を除去する接合強化処理を行った後、前記処理を行ったリードフレームにチップをダイボンディングすることを特徴とするダイボンディング方法。
IPC (2):
H01L 21/52 ,  H01L 23/50
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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