超微細イオン化気泡発生方法及び発生装置及び原水処理装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：谷義一 , 阿部和夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005288760
Publication number (International publication number)：2007098217
Application date： Sep. 30, 2005
Publication date： Apr. 19, 2007
Summary：

【課題】簡単な構造で超微細イオン化気泡を浄化処理されるべき原水内で連続的に且つ大量に発生させ、大量の処理水を浄化することができる超微細イオン化気泡発生方法及び発生装置及び該発生装置を用いた原水処理装置を提供する。【解決手段】高圧水を処理されるべき原水の流れの中に噴射して超微細イオン化気泡発生方法であって、前記処理されるべき原水の流れに対して所定の角度を有し、且つ前記処理されるべき原水の流れの外周に沿って複数配置される第1の高圧水噴射孔、及び該第1の高圧水噴射孔の下流に配置され、前記処理されるべき原水の流れに対して所定の角度を有し、且つ前記処理されるべき原水の流れの外周に沿って複数配置される第2の高圧水噴射孔を少なくとも備え、前記第1の複数の高圧水噴射孔及び前記第2の複数の噴射孔から高圧水を前記処理されるべき原水中に直接噴射して、超微細イオン化気泡を前記処理されるべき原水中に発生させる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

高圧水を処理されるべき原水の流れの中に噴射して超微細イオン化気泡を発生させる超微細イオン化気泡発生方法であって、前記処理されるべき原水の流れに対して所定の角度を有し、且つ前記処理されるべき原水の流れの外周に沿って複数配置される第1の高圧水噴射孔、及び該第1の高圧水噴射孔の下流に配置され、前記処理されるべき原水の流れに対して所定の角度を有し、且つ前記処理されるべき原水の流れの外周に沿って複数配置される第2の高圧水噴射孔を少なくとも備え、前記第1の複数の高圧水噴射孔及び前記第2の複数の高圧水噴射孔から高圧水を前記処理されるべき原水中に直接噴射して、超微細イオン化気泡を前記処理されるべき原水中に発生させることを特徴とする超微細イオン化気泡発生方法。

IPC (5)：

C02F 1/34 , C02F 1/48 , C02F 1/72 , C02F 1/50 , B01F 3/04

FI (11)：

C02F1/34 , C02F1/48 A , C02F1/72 Z , C02F1/50 510A , C02F1/50 520F , C02F1/50 531Q , C02F1/50 540B , C02F1/50 550D , C02F1/50 560G , C02F1/50 560Z , B01F3/04 Z

F-Term (31)：

4D037AA06 , 4D037BA26 , 4D037BB07 , 4D037CA05 , 4D037CA11 , 4D037CA16 , 4D050AA06 , 4D050AB06 , 4D050BB09 , 4D050BD01 , 4D050BD03 , 4D050BD04 , 4D050BD06 , 4D050CA11 , 4D061DA04 , 4D061DB01 , 4D061DB06 , 4D061EA18 , 4D061EC01 , 4D061EC05 , 4D061EC06 , 4D061EC11 , 4D061EC19 , 4D061FA10 , 4D061FA16 , 4G035AB15 , 4G035AB26 , 4G035AB54 , 4G035AC18 , 4G035AC19 , 4G035AE19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

ナノ気泡の生成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-145325 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
ナノバブルの利用方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-288963 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

Return to Previous Page