フォトレジストを用いるホールパターンの形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997080519
Publication number (International publication number)：1998274854
Application date： Mar. 31, 1997
Publication date： Oct. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】基板上に形成されたフォトレジスト膜に露光・現像によりホールパターンを形成するに際し、孔径の小さなホールパターンを容易に形成する方法を提供する。【解決方法】露光・現像により目的とするホール径よりも大径のホールパターンを形成し、次いでフォトレジスト膜の軟化開始温度よりも10°C以上高い温度に加熱してホール径を目的とする径まで縮小させる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成されたフォトレジスト膜にホールパターンを形成する方法において、露光及び現像により目的とするホール径よりも大孔径のホールパターンを形成し、次いでフォトレジスト膜の軟化開始温度よりも10°C以上高い温度に加熱して、フォトレジスト膜の熱変形により孔径を目的とするホール径に縮小させることを特徴とするホールパターンの形成方法。

IPC (5)：

G03F 7/40 511 , G03F 7/40 , G03F 7/039 , H01L 21/027 , H01L 21/768

FI (6)：

G03F 7/40 511 , G03F 7/40 , G03F 7/039 , H01L 21/30 502 R , H01L 21/30 571 , H01L 21/90 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

パタン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-192151 Applicant：株式会社日立製作所
特開平1-307228
特開平4-153656

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