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J-GLOBAL ID：200903076041995264

薄膜太陽電池の製造方法

Inventor： 近藤 正隆 ,  林 克彦 ,  山岸 英雄
Applicant, Patent owner： 鐘淵化学工業株式会社
Agent (1)： 柳野 隆生
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994242508
Publication number (International publication number)：1996107225
Application date： Oct. 06, 1994
Publication date： Apr. 23, 1996
Summary：

【要約】【目的】薄膜半導体層との接着強度と高い反射率を両立した裏面電極構造を有する薄膜太陽電池の製造方法を提供すること。【構成】絶縁性透明基板上に透明電極層、薄膜半導体層、裏面電極層を順次積層する薄膜太陽電池の製造方法であって、積層した薄膜半導体層上に第1の透明導電性金属化合物層を積層した後、反応室内において形成した透明導電性金属化合物と金属による隣設する複数のプラズマ領域中を、透明導電性金属化合物側から金属側に向かって前記第1の透明導電性金属化合物層を積層した基板を移動させることによって、薄膜半導体層上に第1の透明導電性金属化合物層と第2の透明導電性金属酸化物層と金属層よりなる裏面電極層を積層する方法である。

Claim (excerpt)：

絶縁性透明基板上に透明電極層、薄膜半導体層、裏面電極層を順次積層する薄膜太陽電池の製造方法であって、積層した薄膜半導体層上に第1の透明導電性金属化合物層を積層した後、反応室内において形成した透明導電性金属化合物と金属による隣設する複数のプラズマ領域中を、透明導電性金属化合物側から金属側に向かって前記第1の透明導電性金属化合物層を積層した基板を移動させることによって、薄膜半導体層上に第1の透明導電性金属化合物層と第2の透明導電性金属酸化物層と金属層よりなる裏面電極層を積層する薄膜太陽電池の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 光起電力素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-262097   Applicant：キヤノン株式会社
• 特開平3-241617
  
• 特開平2-073967
  
• 特開昭62-010809