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J-GLOBAL ID：200903076049374749

窒素-3属元素化合物半導体発光素子及び製造方法

Inventor： 真部 勝英 ,  小出 典克 ,  山田 正巳 ,  加藤 久喜 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992316596
Publication number (International publication number)：1994151962
Application date： Oct. 29, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：

【要約】【目的】青色の発光強度を向上させること及びGaN の結晶性の向上。【構成】サファイア基板1と、窒素-3属元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) から成る複数の層で構成された発光部とを有する発光素子において、温度400°C〜800°Cにおいて、非晶質の(AlXGa1-XN;X≠0)を厚さ100Å〜500Åに形成されたバッファ層2を有し、バッファ層上に発光部の各層3,4,5,50を形成した。バッファ層2の存在によりその上に形成されるGaN の結晶性が向上した。その結果、発光輝度が向上した。

Claim (excerpt)：

サファイア基板と、窒素-3属元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0を含む) から成る複数の層で構成された発光部とを有する発光素子において、前記サファイア基板上に、温度400°C〜800°Cにおいて、非晶質のAlXGa1-XN;X≠0が厚さ100Å〜500Åに形成されたバッファ層を有し、前記バッファ層上に前記発光部の各層を形成したことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 青色発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-114541   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 特開平4-242985