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J-GLOBAL ID：200903076092400214

真空成膜装置

Inventor： 木曽田 欣弥 ,  古屋 英二 ,  大東 良一
Applicant, Patent owner： 中外炉工業株式会社 ,  大日本印刷株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998078958
Publication number (International publication number)：1999269636
Application date： Mar. 26, 1998
Publication date： Oct. 05, 1999
Summary：

【要約】【課題】 プラズマ放電の連続安定維持時間を長くすること、成膜速度の向上を可能とした真空成膜装置を提供する。【解決手段】 真空チャンバー12内に向けてプラズマビーム22を生成する圧力勾配型プラズマガン11と、このプラズマガン11の出口部に向けて突出させた真空チャンバー12の短管部を包囲するように設けられ、プラズマビーム22の横断面を収縮させる収束コイルとを備え、プラズマビーム22により真空チャンバー11内に配置した基板13上に薄膜を形成する真空成膜装置であって、この真空成膜装置は、前記出口部にこのプラズマビーム22の周囲を取囲み、電気的に浮遊状態として突出させた絶縁管1と、前記短管部内にて絶縁管1の外周側を取巻くとともに、前記出口部よりも高い電位状態とした電子帰還電極2とを設けて形成されている。

Claim (excerpt)：

真空チャンバー内に向けてプラズマビームを生成する圧力勾配型プラズマガンと、このプラズマガンの出口部に向けて突出させた前記真空チャンバーの短管部を包囲するように設けられ、前記プラズマビームの横断面を収縮させる収束コイルとを備え、前記プラズマビームにより前記真空チャンバー内に配置した基板上に薄膜を形成する真空成膜装置において、前記短管部内に、このプラズマビームの周囲を取囲み、電気的に浮遊状態として突出させた絶縁管と、前記短管部内にて前記絶縁管を介して前記プラズマビームの外周側を取巻くとともに、前記出口部よりも高い電位状態とした電子帰還電極とを設けたことを特徴とする真空成膜装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• イオンプレーティング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-164708   Applicant：日本電子株式会社
• 薄膜生成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-331822   Applicant：石川島播磨重工業株式会社
• 特開平4-366591
  
• 特開昭62-103362