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J-GLOBAL ID：200903076222175919

減衰移相マスクおよび製造方法

Inventor： スティーヴン・ダニエル・フランダース ,  デーヴィッド・ショーン・オグラディー
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 合田 潔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995024295
Publication number (International publication number)：1995253654
Application date： Feb. 13, 1995
Publication date： Oct. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 マスクのプリンティング領域で位相欠陥が発生しないリセス減衰移相領域を有する減衰移相半導体製造マスク。【構成】 移相が望まれるマスク基板10の領域にリセス15を形成し、付着した材料19がリセスの深さとあいまって、マスクの隣接する透過性領域を透過する光から光を約180°(Πラジアン)ずらし、破壊干渉によって、投影されるマスク・イメージのエッジで鮮明な輪郭を作成するような、選択された厚さの減衰材料でこのようなリセスを充填する。

Claim (excerpt)：

半導体マスクにおいて、選択された範囲の光に対して高い光透過率を有する基板と、前記基板にある選択された深さの複数のリセスとを備え、前記リセスには、前記選択された領域の光を減衰するような厚さおよび光透過値の材料が付着されており、前記リセスは、前記リセスおよび前記付着された材料を透過する前記選択された範囲の光の位相が、前記リセスに隣接して位置する前記基板の部分を透過する前記選択された範囲の光の位相に対して160°ないし200°位相はずれになるような深さを有することを特徴とする半導体マスク。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 位相シフトマスク及び位相シフトマスクを用いた露光方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-034875   Applicant：ソニー株式会社