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J-GLOBAL ID：200903076226136926

青色半導体レーザ素子

Inventor： 石川 信
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998187525
Publication number (International publication number)：2000022269
Application date： Jul. 02, 1998
Publication date： Jan. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】 高出力動作においても信頼性の高いGaN系半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 発光ストライプ領域4を有するGaN系半導体レーザにおいて、共振器端面に、高い常温標準生成エンタルピーΔH<SB>0</SB>を有する酸化物又はフッ化物からなる誘電体膜1、2を形成し、さらに前面にAl<SB>2</SB>O<SB>3</SB>、Si<SB>3</SB>N<SB>4</SB>又はSiO<SB>2</SB>からなるカバー誘電体膜5を、裏面には高屈折率層と低屈折率層からなる誘電体多層膜3を形成する。前記誘電体膜1、2の化学式をM<SB>n</SB>O<SB>m</SB>(酸化物)又はM<SB>n</SB>F<SB>m</SB>(フッ化物)とし、常温での標準生成エンタルピーをΔH<SB>0</SB>とした場合、酸化物の場合ではΔH<SB>0</SB>/m<-456kJ/molを満たし、フッ化物の場合ではΔH<SB>0</SB>/m<-434kJ/molを満たすようにする。

Claim (excerpt)：

共振器端面の少なくとも一方に、酸化物誘電体の保護膜が形成されたGaN系半導体レーザ素子において、前記酸化物誘電体の化学式をM<SB>n</SB>O<SB>m</SB>、常温での標準生成エンタルピーをΔH<SB>0</SB>としたとき、ΔH<SB>0</SB>/m<-456kJ/molを満たすことを特徴とする半導体レーザ素子。

F-Term (9)：

5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073AA83 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB19 ,  5F073CB20 ,  5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 高出力半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-254616   Applicant：日本電気株式会社