高出力半導体レーザ素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：若林忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996254616
Publication number (International publication number)：1998107362
Application date： Sep. 26, 1996
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】端面劣化のない高信頼な0.6〜1.0μm帯高出力半導体レーザを作成する。【解決手段】発光ストライプ領域4を有する半導体レーザにおいて、共振器端面に酸化物又はフッ化物の高ΔH<SB>0</SB>誘電体膜1,2を形成し、さらに前面にAl<SB>2</SB>O<SB>3</SB>,SiO<SB>2</SB>又はSi<SB>3</SB>N<SB>4</SB>のカバー誘電体膜5を、裏面には高屈折率層と低屈折率層から成る誘電体多層膜3を形成する。前記誘電体膜1,2の化学式をM<SB>n</SB>O<SB>m</SB>(酸化物)又は M<SB>n</SB>F<SB>m'</SB>(フッ化物)とし、常温での標準生成エンタルピーをΔH<SB>0</SB>とした場合、酸化物ではΔH<SB>0</SB>/m<-558 kJ/molを、フッ化物ではΔH<SB>0</SB>/m'<-485 kJ/molを満たすことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

共振器端面の少なくとも一方に、酸化物誘電体からなる保護膜を形成する半導体レーザであって、前記酸化物誘電体の化学式をM<SB>n</SB>O<SB>m</SB>(Mは金属原子、nは金属原子数、mは酸素原子数を表す)、常温での標準生成エンタルピーをΔH<SB>0</SB>とした時、ΔH<SB>0</SB>/m<-558 kJ/molを満たすことを特徴とする半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平4-299591
半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-299295 Applicant：キヤノン株式会社
半導体レーザ装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-268719 Applicant：松下電子工業株式会社

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