Pat

J-GLOBAL ID：200903076253588634

光電子素子

Inventor： 永吉 浩 ,  寺嶋 一高 ,  西村 鈴香 ,  鈴木 康昭
Applicant, Patent owner： エス・シー・テクノロジー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004073439
Publication number (International publication number)：2005236237
Application date： Feb. 17, 2004
Publication date： Sep. 02, 2005
Summary：

【課題】Siベース高効率太陽電池の効率の限界は28%程度であり、市販レベルのセルでは15%程度である。太陽光発電の普及のためにはシンプルなプロセスでかつこれまでの発電効率を大きく超える太陽電池が必要である。これまでの効率限界を破るためにはバンドギャップの異なる半導体材料と多接合型太陽電池とする必要がある。しかし、これまでSi上にバンドギャップの異なる結晶半導体材料を成長させることは困難であった。【解決手段】BPをSi上にエピタキシャル成長させてヘテロ接合型太陽電池構造を形成する。さらにBP上へバンドギャップの異なる太陽電池構造を形成し、多接合型太陽電池を構成する。【選択図】 図5

Claim (excerpt)：

pまたはn形結晶Siとn形またはp形に導電性を制御されたBP層の組み合わせからなる多層構造

IPC (1)：

H01L31/04

FI (1)：

H01L31/04 L

F-Term (11)：

5F051AA02 ,  5F051AA08 ,  5F051CB12 ,  5F051CB29 ,  5F051DA03 ,  5F051DA04 ,  5F051FA02 ,  5F051FA06 ,  5F051FA16 ,  5F051GA04 ,  5F051HA03