半導体力学量センサ及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：恩田博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994003716
Publication number (International publication number)：1995209105
Application date： Jan. 18, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】実装時の水流、水圧、ハンドリングなどによる可動部の破壊を防止することができる半導体力学量センサ及びその製造方法を提供することにある。【構成】 P型シリコン基板17の上方には、梁構造の可動電極24が所定間隔を隔てて配置され、加速度の作用に伴う可動電極24の変位から加速度が検出される。センサ製造の際には、昇華性物質であるナフタレン44をP型シリコン基板17と可動電極24との間を含むP型シリコン基板17上に配置し、ナフタレン44を固定する。この状態でダイシングカットやマウントやワイヤーボンディング等の実装を行う。このとき、可動電極24に対しダイシングカットの際の水流等やワイヤーボンディングの際の振動が加わったりハンドリングが行われるが、可動電極24がナフタレン44により動かないように固定されているので可動電極24の破損が回避される。そして、実装後にナフタレン44を気化する。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板の上方に所定間隔を隔てて配置された梁構造の可動部とを備え、力学量の作用に伴う前記可動部の変位から力学量を検出するようにした半導体力学量センサの製造方法であって、前記可動部を保護材にて保護して実装するようにしたことを特徴とする半導体力学量センサの製造方法。

IPC (3)：

G01L 1/22 , G01L 9/08 , H01L 23/10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開昭62-174978
特開昭63-198378
特開平1-301180

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