Pat

J-GLOBAL ID：200903076331732518

レーザ加工方法

Inventor： 福満 憲志 ,  福世 文嗣 ,  内山 直己
Applicant, Patent owner： 浜松ホトニクス株式会社
Agent (3)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  石田 悟
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004157965
Publication number (International publication number)：2005012203
Application date： May. 27, 2004
Publication date： Jan. 13, 2005
Summary：

【課題】 硬度が高い加工対象物であっても効率の良い切断を可能にするレーザ加工方法を提供する。【解決手段】 切断予定ライン5に沿って加工対象物1の表面3に溝59を形成した後、加工対象物1の裏面21をレーザ光入射面として加工対象物1の内部に集光点Pを合わせて多光子吸収が生じる条件でレーザ光Lを照射し、切断予定ライン5に沿って改質領域7による切断起点領域8を形成する。このように、加工対象物1の内部に切断起点領域8が形成されると、自然に或いは比較的小さな力で切断起点領域8を起点として割れが発生し、その割れが溝59の底面59aと裏面21とに到達する。したがって、加工対象物1の硬度が高い場合であっても、ブレードによりフルカットする方法に比べ、切断予定ライン5に沿って加工対象物1を効率良く切断することが可能になる。【選択図】 図21

Claim (excerpt)：

ウェハ状の加工対象物の一方の面に前記加工対象物の切断予定ラインに沿って溝を形成する工程と、 前記溝を形成した後、前記加工対象物の他方の面をレーザ光入射面として前記加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記加工対象物の内部に改質領域を形成し、この改質領域によって、前記切断予定ラインに沿って前記レーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成する工程とを備えることを特徴とするレーザ加工方法。

IPC (4)：

H01L21/301 ,  B23K26/00 ,  B23K26/06 ,  B28D5/04

FI (5)：

H01L21/78 L ,  B23K26/00 320E ,  B23K26/06 A ,  B28D5/04 A ,  H01L21/78 B

F-Term (13)：

3C069AA01 ,  3C069BA08 ,  3C069BB01 ,  3C069BB04 ,  3C069CA05 ,  3C069CA06 ,  3C069CA11 ,  3C069EA01 ,  3C069EA03 ,  4E068AA01 ,  4E068AE00 ,  4E068CD01 ,  4E068DA10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特許第3290140号公報
  
• 特許第2780618号公報
  
• 窒化物半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-345937   Applicant：日亜化学工業株式会社