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J-GLOBAL ID：200903076351344395

レベルシフト回路を有する非揮発性半導体メモリ装置

Inventor： 鄭 暉澤 ,  朴 鐘閔
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 志賀 正武 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998286938
Publication number (International publication number)：1999191299
Application date： Oct. 08, 1998
Publication date： Jul. 13, 1999
Summary：

【要約】【課題】 ワードラインを電源電圧より高いワードライン電圧と電源電圧より低いワードライン電圧との両方で駆動できるワードラインディコーダを備える非揮発性半導体メモリ装置を提供すること。【解決手段】 この装置はワードラインと、ビットラインと、前記ワードラインと前記ビットラインとに連結されたメモリセルと、遮断信号に応じて供給されたワードライン電圧によって前記ワードラインを駆動するワードライン駆動回路と、各々の前記複数の動作モードの間に遮断信号を発生する回路とを含む非揮発性半導体メモリ装置が提供される。前記遮断信号発生回路は、前記ワードライン電圧が電源電圧より高い時、電源電圧を有する遮断信号を発生し、前記ワードライン電圧が電源電圧より低い時、ワードライン電圧を有する遮断信号を発生する。

Claim (excerpt)：

複数の動作モードを有する非揮発性半導体メモリ装置において、ワードラインと、ビットラインと、前記ワードラインと前記ビットラインとに連結されたメモリセルと、各々の複数動作モードに従い、遮断信号に応じて供給されたワードライン電圧によって前記ワードラインを駆動するワードライン駆動回路と、各々の前記複数の動作モードの間に遮断信号を発生する回路とを含み、前記遮断信号発生回路が、前記ワードライン電圧が電源電圧より高い時、電源電圧を有する遮断信号を発生し、前記ワードライン電圧が電源電圧より低い時、ワードライン電圧を有する遮断信号を発生することを特徴とする非揮発性半導体メモリ装置。

FI (2)：

G11C 17/00 632 Z ,  G11C 17/00 633 D

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体集積回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-272788   Applicant：岩手東芝エレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
• 特開平2-289997
  

Cited by examiner (3)

• 半導体集積回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-272788   Applicant：岩手東芝エレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
• 特開平2-289997
  
• 特開平2-289997