高配向性ダイヤモンド薄膜

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：藤巻正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993315558
Publication number (International publication number)：1995069789
Application date： Dec. 15, 1993
Publication date： Mar. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】結晶粒界が少なくキャリアの移動度が高いと共に、大面積の薄膜が得られる高配向性ダイヤモンド薄膜を提供する。【構成】高配向性ダイヤモンド薄膜は、気相合成によって形成されたダイヤモンド薄膜である。そして、この薄膜表面積の95%以上がダイヤモンドの(100)結晶面又は(111)結晶面で構成されており、隣接する(100)結晶面又は(111)結晶面について、その結晶面方位を表すオイラー角{α,β,γ}の差{△α,△β,△γ}が|△α|≦1°、|△β|≦1°、|△γ|≦1°を同時に満足する。

Claim (excerpt)：

気相合成によって形成されたダイヤモンド薄膜であって、その薄膜表面積の95%以上がダイヤモンドの(100)結晶面から構成されており、隣接する(100)結晶面について、その結晶面方位を表すオイラー角{α,β,γ}の差{△α,△β,△γ}が|△α|≦1°、|△β|≦1°、|△γ|≦1°を同時に満足することを特徴とする高配向性ダイヤモンド薄膜。

IPC (3)：

C30B 29/04 , C30B 25/02 , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開昭63-252998
特開平3-237091
特開平4-077395

Show all

Return to Previous Page