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J-GLOBAL ID：200903076387155661

半導体装置の製造方法

Inventor：
三坂 栄一

About 三坂 栄一


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 岡田 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994286640
Publication number (International publication number)：1996148470
Application date： Nov. 21, 1994
Publication date： Jun. 07, 1996
Summary：
【要約】【目的】Al配線層上に形成する層間絶縁膜の平坦化方法の改善に関する。【構成】半導体基板上に形成した絶縁膜(31)上にAl配線層(32)を形成する工程と、前記絶縁膜(31)およびAl配線層(32)の表面を被覆するようにシリコン窒化膜(33)を形成する工程と、全面に第1のシリコン酸化膜(34)を形成する工程と、前記シリコン窒化膜(33)の表面をエッチングの終点検出面として前記第1のシリコン酸化膜(34)を全面エッチングすることにより前記Al配線層(32)の側壁酸化膜(35)を形成する工程と、全面に第2のシリコン酸化膜(36)を形成する工程と、全面にSOG膜(37)を塗布する工程と、前記第2のシリコン酸化膜(36)および前記SOG膜(37)をエッチバックする工程とを有する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成した絶縁膜上にAl配線層を形成する工程と、前記絶縁膜およびAl配線層の表面を被覆するようにシリコン窒化膜を形成する工程と、全面に第1のシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン窒化膜の表面をエッチングの終点検出面として前記第1のシリコン酸化膜を全面エッチングすることにより前記Al配線層の側壁酸化膜を形成する工程と、全面に第2のシリコン酸化膜を形成する工程と、全面にSOG膜を塗布する工程と、前記第2のシリコン酸化膜および前記SOG膜をエッチバックする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/3205
FI (3)：
H01L 21/302 E ,  H01L 21/302 L ,  H01L 21/88 K
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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