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J-GLOBAL ID：200903076390947447

薄膜形成方法

Inventor：
田端 隆雄

About 田端 隆雄

, 
桐村 浩哉

About 桐村 浩哉


Applicant, Patent owner：
日新電機株式会社

About 日新電機株式会社


Agent (1)： 山本 惠二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993141467
Publication number (International publication number)：1994333853
Application date： May. 19, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：
【要約】【目的】 パーティクル発生を抑制することができると共に、化合物薄膜の組成ずれに伴う膜質低下を抑制することができる薄膜形成方法を提供する。【構成】 プラズマCVD装置のホルダ兼電極6と放電電極8との間に、高周波電源14から、元となる高周波信号に対してそれを断続させる変調をかけた高周波電力を供給する。かつ、成膜用の原料ガス16として、原子間の結合エネルギーが互いに同じかほぼ等しい2種以上のガスを用いる。
Claim (excerpt)：
基板を保持するホルダ兼電極とこれに対向する放電電極との間の高周波放電によってプラズマを発生させるプラズマCVD法によって基板の表面に化合物薄膜を形成する薄膜形成方法において、前記放電電極とホルダ兼電極との間に、元となる高周波信号に対してそれを断続させる変調をかけた高周波電力を供給すると共に、成膜用の原料ガスとして、原子間の結合エネルギーが互いに同じかほぼ等しい2種以上のガスを用いることを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/50
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (16)
  • 特開昭59-031022
  • プラズマCVD法及び装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-211126   Applicant：日新電機株式会社
  • 薄膜状半導体素子およびその作製方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-238714   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
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