電界効果トランジスタおよびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山川政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995023943
Publication number (International publication number)：1996222578
Application date： Feb. 13, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】正孔の蓄積によるキンクおよび耐圧低下を回避する。【構成】半絶縁性基板1上にアンドープInAlAs層2,p型ドープInAlAs層3,アンドープInAlAs層4,アンドープInGaAs層5,アンドープInAlAs層6,n型ドープInAlAs層7,アンドープInAlAs層8,n型ドープInAlAs層9,n型ドープInGaAs層10が順次積層する半導体多層構造が形成され、この多層構造上に表面からInAlAs層8に達する深さのゲート電極11が形成され、InGaAs層10上にはソース電極12,ドレイン電極13が形成され、多層構造の一部分には各層4〜10を貫通し、InAlAs層3に達する深さで高濃度p型ドープ領域14が形成され、この高濃度p型ドープ領域14上にはオーミック電極15が形成されている。

Claim (excerpt)：

半絶縁性基板上にn型導電チャネルを有する化合物半導体層が形成され、前記n型導電チャネル上にゲート電極,ソース電極およびドレイン電極が配設された電界効果トランジスタにおいて、前記半絶縁性基板と前記n型導電チャネルとの間にp型不純物半導体層を含み、かつ前記化合物半導体層の一部に前記p型不純物半導体層に接して高濃度p型不純物半導体領域を有し、前記高濃度p型不純物半導体領域に接するオーミック電極を設けたことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平4-267345
特開平4-005833
特開平3-278544

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