Pat
J-GLOBAL ID：200903076437833810
窒化物系化合物半導体発光素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000157617
Publication number (International publication number)：2001339102
Application date： May. 29, 2000
Publication date： Dec. 07, 2001
Summary：
【要約】【課題】 窒化物系化合物半導体発光素子の発光強度を高めること。【解決手段】 窒化物系化合物半導体発光素子100の発光層5をシリコン(Si)とユーロピウム(Eu)をドープしたGaInNから成る井戸層を有するMQW構造とした。窒化物系化合物半導体発光素子100は、シリコン(Si)もユーロピウム(Eu)もドープしないGaInNから成る井戸層を有するMQW構造の発光素子と比べて、発光波長が略同一で、約20倍の発光強度となった。
Claim (excerpt)：
窒化物系化合物半導体を積層することにより形成された窒化物系化合物半導体発光素子において、発光層又は活性層に、それを形成する窒化物系化合物半導体のバンドギャップと略一致する内殻遷移エネルギー準位間の発光遷移を生じる希土類元素を添加したことを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 33/00 C
, H01S 5/343
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA50
, 5F041CA57
, 5F041CA58
, 5F073AA07
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073CB17
, 5F073CB18
, 5F073DA05
, 5F073DA35
, 5F073EA24
