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J-GLOBAL ID：200903018098524357
半導体レーザと並列伝送用光送信モジュールおよびそれらを使用した応用システム
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997314794
Publication number (International publication number)：1999150322
Application date： Nov. 17, 1997
Publication date： Jun. 02, 1999
Summary：
【要約】【課題】n型にドープされた多重量子井戸活性層を有する半導体レーザにおいて、伝送帯側のキャリアオーバーフローを抑制し、n型変調ドープの効果を最大限に発揮し、発振遅延時間が小さな半導体レーザを提供する。【解決手段】量子井戸活性層を有する半導体レーザの障壁層101を1.04μm以上でかつ1.09μm 以下の組成波長とし、ガイド層103,104を1.03μm以上、1.06μm以下の組成波長とする。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に、少なくとも第1のクラッド層,第1のガイド層,量子井戸層と該量子井戸層よりも禁制帯幅の大きい障壁層を少なくとも1組以上交互に重ね合わせた量子井戸活性層,第2のガイド層,第2のクラッド層が順次積層されたメサストライプ構造、およびレーザ光を得るための共振器構造を有し、大きな密度の多数電子を発生させるn型の不純物を上記量子井戸活性層の一部あるいは全てに導入した変調ドープ量子井戸半導体レーザにおいて、上記量子井戸層中の少なくとも1つの障壁層が1.04μm以上でかつ1.09μm以下の組成波長であり、かつ少なくとも1つの以上のガイド層が1.03μm以上,1.06μm以下の組成波長であることを特徴とする半導体レーザ。
Patent cited by the Patent：
Article cited by the Patent：
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