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J-GLOBAL ID：200903076453317325

電子装置の製造方法

Inventor： 長谷川 利昭
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998361144
Publication number (International publication number)：2000183052
Application date： Dec. 18, 1998
Publication date： Jun. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 有機誘電体膜を層間絶縁膜として採用する高集積度半導体装置等の電子装置における、密着性の問題を解決する。【解決手段】 有機誘電体膜12を形成する被処理基体10表面を逆スパッタリングして、ダングリングボンドを形成する。また被処理基体10表面に、化学量論組成よりSiリッチな無機誘電体膜11aを形成しておき、この上に有機誘電体膜12を形成する。

Claim (excerpt)：

被処理基体上に有機誘電体膜を形成する工程を有する電子装置の製造方法であって、前記被処理基体を逆スパッタリングして、該被処理基体表面にダングリングボンドを形成する工程と、前記ダングリングボンドが形成された被処理基体上に、有機誘電体膜を形成する工程とを有することを特徴とする電子装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/312 N ,  H01L 21/90 S

F-Term (43)：

5F033QQ09 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR20 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR24 ,  5F033RR25 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS04 ,  5F033SS08 ,  5F033SS13 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033XX12 ,  5F058AA08 ,  5F058AC02 ,  5F058AE10 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG10 ,  5F058AH02 ,  5F058BA10 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD19 ,  5F058BE10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF09 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF25 ,  5F058BF26 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 多孔質誘電体膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-247556   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-033872   Applicant：山形日本電気株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-297614   Applicant：東京エレクトロン株式会社