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J-GLOBAL ID：200903076486019516

単結晶成長用基体

Inventor： 磯上 峯男 ,  鷹野 致和
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995038818
Publication number (International publication number)：1995288231
Application date： Feb. 27, 1995
Publication date： Oct. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 欠陥のきわめて少ない良質な窒化ガリウム薄膜を合成し得る新規で優れた単結晶成長用基体を提供すること。【構成】 窒化ガリウム単結晶を気相成長させる主面が、立方晶系,三方晶系,六方晶系又はルチル型正方晶系のいずれかの結晶系に属する単結晶から成り、かつ該主面の格子面間隔の整数倍をA、窒化ガリウム単結晶の成長方向における格子面間隔の整数倍をBとしたときに、|A-B|/Aが0.03以下の値であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

窒化ガリウム単結晶を気相成長させる主面が、立方晶系,三方晶系,六方晶系又はルチル型正方晶系のいずれかの結晶系に属する単結晶から成り、かつ該主面の格子面間隔の整数倍をA、窒化ガリウム単結晶の成長方向における格子面間隔の整数倍をBとしたときに、|A-B|/Aが0.03以下の値を有する単結晶成長用基体。

IPC (4)：

H01L 21/203 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/38 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭49-003899
  
• 積層半導体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-348400   Applicant：シャープ株式会社