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J-GLOBAL ID:200903076658544928

半導体装置及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4): 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006352991
Publication number (International publication number):2007201454
Application date: Dec. 27, 2006
Publication date: Aug. 09, 2007
Summary:
【課題】 半導体装置及びその製造方法が開示される。【解決手段】 半導体装置は、導電性構造物、第1絶縁膜、及び第1導電膜パターンを含む。導電性構造物は、第1部分、第2部分、及び第3部分を含む。第2部分は第1部分上で第1方向に延びていて、前記第1方向と実質的に垂直である第2方向に互いに離隔している。第3部分は第2部分上で第1及び第2方向に互いに離隔している。第1絶縁膜は、第2部分の側壁を塗布する。第1導電膜パターンは、第1絶縁膜上に形成される。本発明によると、ボディに相当する第2部分が第1方向に延びている。従って、ボディはソース/ドレイン領域によって絶縁されない。又、第2部分に相対的に広い幅のチャンネルが形成されるので、半導体装置は相対的に速い動作速度を有する。【選択図】図2
Claim (excerpt):
第1部分、前記第1部分上で第1方向に延びていて前記第1方向と実質的に垂直な第2方向に互いに離隔している第2部分、前記第2部分上で前記第1及び第2方向に互いに離隔している第3部分を含む導電性構造物と、 前記第2部分の側壁を覆う第1絶縁膜と、 前記第1絶縁膜上に形成される第1導電膜パターンと、 を含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (5):
H01L 29/78 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088
FI (5):
H01L29/78 301X ,  H01L29/78 653B ,  H01L27/10 671A ,  H01L27/10 621C ,  H01L27/08 102E
F-Term (30):
5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BB01 ,  5F048BB05 ,  5F048BC01 ,  5F048BC03 ,  5F048BD02 ,  5F048BD07 ,  5F048BF12 ,  5F048BF16 ,  5F048BF18 ,  5F048CB07 ,  5F083AD03 ,  5F083AD24 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083LA12 ,  5F140AA17 ,  5F140AC32 ,  5F140AC39 ,  5F140BB04 ,  5F140BB15 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF44 ,  5F140BH21 ,  5F140BH43 ,  5F140CE20
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
  • 米国特許第6,337,497号
  • 米国特許第5,907,170号
  • 米国特許第6,395,597号
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Cited by examiner (2)

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