Pat
J-GLOBAL ID:200903076658544928
半導体装置及びその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4):
大塚 康徳
, 高柳 司郎
, 大塚 康弘
, 木村 秀二
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006352991
Publication number (International publication number):2007201454
Application date: Dec. 27, 2006
Publication date: Aug. 09, 2007
Summary:
【課題】 半導体装置及びその製造方法が開示される。【解決手段】 半導体装置は、導電性構造物、第1絶縁膜、及び第1導電膜パターンを含む。導電性構造物は、第1部分、第2部分、及び第3部分を含む。第2部分は第1部分上で第1方向に延びていて、前記第1方向と実質的に垂直である第2方向に互いに離隔している。第3部分は第2部分上で第1及び第2方向に互いに離隔している。第1絶縁膜は、第2部分の側壁を塗布する。第1導電膜パターンは、第1絶縁膜上に形成される。本発明によると、ボディに相当する第2部分が第1方向に延びている。従って、ボディはソース/ドレイン領域によって絶縁されない。又、第2部分に相対的に広い幅のチャンネルが形成されるので、半導体装置は相対的に速い動作速度を有する。【選択図】図2
Claim (excerpt):
第1部分、前記第1部分上で第1方向に延びていて前記第1方向と実質的に垂直な第2方向に互いに離隔している第2部分、前記第2部分上で前記第1及び第2方向に互いに離隔している第3部分を含む導電性構造物と、
前記第2部分の側壁を覆う第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に形成される第1導電膜パターンと、
を含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (5):
H01L 29/78
, H01L 21/824
, H01L 27/108
, H01L 21/823
, H01L 27/088
FI (5):
H01L29/78 301X
, H01L29/78 653B
, H01L27/10 671A
, H01L27/10 621C
, H01L27/08 102E
F-Term (30):
5F048AB01
, 5F048AC01
, 5F048AC10
, 5F048BB01
, 5F048BB05
, 5F048BC01
, 5F048BC03
, 5F048BD02
, 5F048BD07
, 5F048BF12
, 5F048BF16
, 5F048BF18
, 5F048CB07
, 5F083AD03
, 5F083AD24
, 5F083KA01
, 5F083KA05
, 5F083LA12
, 5F140AA17
, 5F140AC32
, 5F140AC39
, 5F140BB04
, 5F140BB15
, 5F140BE07
, 5F140BF01
, 5F140BF04
, 5F140BF44
, 5F140BH21
, 5F140BH43
, 5F140CE20
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
-
米国特許第6,337,497号
-
米国特許第5,907,170号
-
米国特許第6,395,597号
-
米国特許第6,191,448号
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Cited by examiner (2)
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