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J-GLOBAL ID：200903076687980583

レーザー照射装置及びレーザー照射方法

Inventor： 山崎 舜平 ,  寺本 聡 ,  楠本 直人 ,  田中 幸一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997034468
Publication number (International publication number)：1997275081
Application date： Feb. 03, 1997
Publication date： Oct. 21, 1997
Summary：

【要約】【目的】 大面積を有する珪素膜に対するレーザー光の照射によるアニールの均一性を向上させる。【構成】 被照射面に対して線状のビーム形状を有するレーザー光を照射する構成において、線状ビームの長手方向における照射エネルギー密度の分布を制御するホモジナイザー103や104を構成するシリンドリカルレンズの幅や数を最適化する。例えば、ホモジナイザー103や104を構成するシリンドリカルレンズの幅を0.1mm 〜5mmとし、さらにその数を照射面における線状レーザーの長手方向の長さの5mm〜15mm当たりに1個の割合で配置するようにする。このようにすることで、線状レーザーの長手方向における照射エネルギー密度の均一性を向上させることができる。

Claim (excerpt)：

照射面における線状レーザー光の長さをx(mm)とし、ホモジナイザーを構成するシリドリカルレンズの数をyとして、xとyは、(43/600)x-(1/6)≦y≦(x/5)で示される数式を満足することを特徴とするレーザー照射装置。

IPC (5)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01S 3/00

FI (6)：

H01L 21/268 Z ,  H01L 21/20 ,  H01S 3/00 B ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• レーザー処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-173709   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所