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J-GLOBAL ID：200903076702751499

ePTFEの表面修飾及びそれを用いたインプラント

Inventor：
コンデュリン アレクセイ

About コンデュリン アレクセイ

, 
マイツ マンフレット フランツ

About マイツ マンフレット フランツ


Applicant, Patent owner：
ボストン サイエンティフィック リミテッド

About ボストン サイエンティフィック リミテッド


Agent (4)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  西島 孝喜 ,  須田 洋之
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2008527057
Publication number (International publication number)：2009504330
Application date： Aug. 16, 2006
Publication date： Feb. 05, 2009
Summary：
プラズマ浸漬イオン注入によりePTFE表面を修飾する方法は、プラズマ処理に適したチャンバ(42)内にePTFE材料を準備し、試料に連続低エネルギー・プラズマ放電(50)を加え、短時間幅の負の高電圧パルス(52)を印加してプラズマ放電からの高エネルギー・イオン束を形成し、ePTFE材料の表面上に、表面の下の分子及び/又は物理構造を変えることなくフリーラジカルを形成して修飾ePTFE表面を画定するイオンを生成する、ステップを含む。高電圧パルスを印加するステップがePTFEの表面をエッチング又は浸炭化するときでも、高電圧パルスを印加するステップは結節及び小繊維構造を破壊することなくePTFEの表面を修飾する。修飾された表面は約30nmから約500nmまでの深さを有することができる。イオンは約1013イオン/cm2から約1016イオン/cm2までの濃度又はドーズ量でePTFE試料に投与される。
Claim (excerpt)：
ePTFE表面を修飾する方法であって、 プラズマ処理に適したチャンバ内にePTFE材料を準備し、 前記試料に連続低エネルギー・プラズマ放電を加え、 短時間幅の高電圧パルスを印加してプラズマ放電からの高エネルギー・イオン束を形成し、前記ePTFE材料の前記表面上に、該表面の下の分子及び/又は物理構造を変化させることなしにフリーラジカルを形成して修飾ePTFE表面を画定する、イオンを生成する、 ステップを含むことを特徴とする方法。
IPC (4)：
A61F 2/06 ,  A61F 2/82 ,  A61F 2/04 ,  A61L 31/00
FI (4)：
A61F2/06 ,  A61M29/02 ,  A61F2/04 ,  A61L31/00 Z
F-Term (39)：
4C081AC08 ,  4C081BA02 ,  4C081CA132 ,  4C081DA03 ,  4C081DB07 ,  4C081DC03 ,  4C097AA14 ,  4C097AA15 ,  4C097AA17 ,  4C097BB01 ,  4C097CC01 ,  4C097CC03 ,  4C097DD01 ,  4C097DD05 ,  4C097DD14 ,  4C097EE06 ,  4C097EE18 ,  4C097FF06 ,  4C167AA44 ,  4C167AA47 ,  4C167AA50 ,  4C167AA54 ,  4C167BB06 ,  4C167BB13 ,  4C167BB15 ,  4C167BB26 ,  4C167CC08 ,  4C167CC20 ,  4C167CC21 ,  4C167CC26 ,  4C167DD01 ,  4C167EE03 ,  4C167EE08 ,  4C167FF05 ,  4C167GG02 ,  4C167GG04 ,  4C167GG11 ,  4C167GG16 ,  4C167GG42
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (6)
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