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J-GLOBAL ID：200903076728816190

処理方法及び処理装置

Inventor：
熊谷 佳夫

About 熊谷 佳夫


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 中本 菊彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995345278
Publication number (International publication number)：1997162156
Application date： Dec. 07, 1995
Publication date： Jun. 20, 1997
Summary：
【要約】【課題】 被処理体の薬液処理、洗浄処理及び乾燥処理に際し、被処理体のパーティクルの付着あるいは乾燥むら等の発生を抑制すること。【解決手段】 半導体ウエハWを洗浄液で洗浄する洗浄・乾燥処理槽20と、溶剤を加熱して乾燥ガスを生成する乾燥ガス生成部40とを、乾燥ガス供給路30にて連通する。洗浄・乾燥処理槽20の底部に薬液及び洗浄液の供給・排出口24を設けると共に、薬液の排液口61を設け、排液口61に強制排液機構60を設ける。これにより、洗浄・乾燥処理槽20内におかれた半導体ウエハWを薬液処理した後、薬液を短時間に排出することができ、その後、洗浄液で洗浄した後、洗浄液の界面に乾燥ガスを含有する領域を形成し、半導体ウエハWを界面部より実質的に突出させつつ乾燥ガス雰囲気により乾燥することができる。
Claim (excerpt)：
被処理体を薬液処理及び洗浄し乾燥する処理方法であって、処理部内に配設された上記被処理体を薬液で処理する工程と、上記薬液を上記処理部から排液する工程と、上記被処理体を洗浄液で洗浄する工程と、上記洗浄液の界面部に上記被処理体に対して疎水性を有する領域を形成する工程と、上記被処理体を上記界面部より実質的に突出させつつ乾燥ガスにより乾燥する工程と、を有することを特徴とする処理方法。
IPC (3)：
H01L 21/304 361 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 351
FI (3)：
H01L 21/304 361 H ,  H01L 21/304 341 T ,  H01L 21/304 351 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • クリーン洗浄装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-235043   Applicant：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
  • 特開平3-169013
  • 特開昭62-109322
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