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J-GLOBAL ID：200903076754729823

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 山口 豪 ,  高木 信一 ,  小山 正人 ,  鳥海 明
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998070555
Publication number (International publication number)：1999274325
Application date： Mar. 19, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】MFISFETの安定化並びに低所比電力化を図る。【解決手段】p型のシリコン基板11上に素子分離用絶縁膜12が形成され、露出するシリコン基板11の表面にn+ 型のソース領域13及びドレイン領域14が形成されされている。そして、電界効果トランジスタのチャネルとなるシリコン基板11上にTiO2 膜(絶縁酸化膜)15を介してBaTiO3 膜(強誘電体膜)16が形成されている。そして、BaTiO3 膜16上にRu膜(ゲート電極)17が形成されている。なお、TiO2 膜15の膜厚は、BaTiO3 膜16の膜厚より薄く形成されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に電界効果トランジスタが形成された半導体装置であって、前記電界効果トランジスタのチャネル領域となる前記半導体基板上に形成された絶縁酸化膜と、この絶縁酸化膜上に形成された金属元素を含む強誘電体膜と、この強誘電体膜上に形成されたゲート電極とを具備し、前記絶縁酸化膜は、前記強誘電体膜を構成する金属元素を少なくとも1種含む酸化物であることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/10 451

FI (2)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 451