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J-GLOBAL ID：200903076881123756

容量型薄膜絶対圧センサ、抵抗型薄膜絶対圧センサおよび容量型絶対圧センサを製造するための薄膜法

Inventor： マソウド ハビビ ,  エルンスト リューダー ,  トラウゴット カルファス ,  フランク ヘーグナー ,  ゲオルク シュナイダー
Applicant, Patent owner： エンドレス ウント ハウザー ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング ウント コンパニー
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994194288
Publication number (International publication number)：1995083776
Application date： Aug. 18, 1994
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 容量型および抵抗型絶対圧センサを提供する。表面微細機械加工および薄膜技術によって容量型絶対圧センサを製造する。【構成】 容量型センサは、ガラス基板および気密に密封された空洞に接するダイヤフラムを有し、基板は、空洞側で、第1相互接続路またはそれから延びるコーナパッドを支持する。ダイヤフラムは第1絶縁層の材料からなり、該絶縁層は少なくとも部分的に、空洞の縁で基板に強固に付着し、空洞から遠く離れた側で、頂部電極および第2絶縁層を支持する。第2絶縁層は頂部電極およびダイヤフラムを完全に覆いかつ空洞を気密に密封する。頂部電極は、ダイヤフラムの外側で第1絶縁層上へ延びる第2相互接続路を有する。抵抗型センサの場合には、基板電極は省略され、頂部電極はピエゾ抵抗からなる半または全ブリッジに代えられている。

Claim (excerpt)：

ベースエレメントとしてガラス基板および気密に密封された空洞に接するダイヤフラムを包含し、-ベースエレメントが、空洞側に、第1相互接続路またはそれから延びるコーナパッドを有する基板電極を支持し、-ダイヤフラムは、空洞の縁でベースエレメントに少なくとも部分的に強固に付着している第1絶縁層の材料からなり、-ダイヤフラムは、空洞から遠く離れた側に、頂部電極および頂部電極およびダイヤフラムを完全に覆いかつ空洞を気密に密封する第2絶縁層を支持し、-頂部電極は、それからダイヤフラムの外側で第1絶縁層上へ延びる第2相互接続路を有する、容量型絶対圧センサ。

IPC (4)：

G01L 9/12 ,  G01L 7/00 ,  G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体圧力センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-321070   Applicant：株式会社豊田中央研究所