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J-GLOBAL ID：200903076934948370
気相成長方法およびその装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
舘野 公一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994186460
Publication number (International publication number)：1996031758
Application date： Jul. 15, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：
【要約】【目的】 遷移幅のより小さい半導体結晶薄膜を得ることできる気相成長方法およびその装置を提供する。【構成】 一端部に反応性原料ガスの供給口5を備え他端部に反応ガスの排出口6を備えたコールドウオール型の反応容器3を、ほぼ水平方向に設け、反応容器3の内部に、半導体結晶基板1を主表面がほぼ水平になるように配置し、反応性原料ガス4をほぼ水平に一方向に流して、加熱された半導体結晶基板1上に所望の半導体結晶薄膜2を成長させる気相成長方法において、反応容器3の内部幅がW、反応性原料ガスの供給口5から半導体結晶基板1の供給口側の外周端部までの長さがL、半導体結晶基板1の主表面と該主表面に相対する反応容器の内壁との間隔がGの時、反応性原料ガスの供給口5から原料ガスの流れる方向に(L+W)の範囲内で、W/G比が15以上となる位置に半導体結晶基板1を配置する。
Claim (excerpt)：
一端部に反応性原料ガスの供給口を備え他端部に反応ガスの排出口を備えたコールドウオール型の反応容器を、ほぼ水平方向に設け、該反応容器の内部に、半導体結晶基板を主表面がほぼ水平になるように配置し、反応性原料ガスをほぼ水平に一方向に流して、加熱された前記半導体結晶基板上に所望の半導体結晶薄膜を成長させる気相成長方法において、前記反応容器の内部幅がW、反応性原料ガスの供給口から半導体結晶基板の該供給口側の外周端部までの長さがL、前記半導体結晶基板の主表面と該主表面に相対する反応容器の内壁との間隔がGの時、反応性原料ガスの供給口から該原料ガスの流れる方向に(L+W)の範囲内で、W/G比が15以上となる位置に前記半導体結晶基板を配置することを特徴とする気相成長方法。
IPC (2)：
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