電界効果テラヘルツ電磁波発生素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999330859
Publication number (International publication number)：2001148502
Application date： Nov. 22, 1999
Publication date： May. 29, 2001
Summary：

【要約】【課題】本発明は、効率が高く、出力が大きいテラヘルツ電磁波を発生できるだけでなく、基板に垂直方向にテラヘルツ電磁波を発生可能にすることを目的としている。【解決手段】半導体バルク基板面(或いは半導体量子井戸を形成した基板面)に平行な横方向に電界を印加した構造に、超短光パルスレーザの光を素子表面垂直方向に対して角度θ(θ=0度〜360度)の方向から照射する。これによって、キャリアを発生させ、基板に対して平行な横方向に電界を印加することによって、分極を大きく形成すること及びキャリアを加速することを利用してテラヘルツ電磁波を発生する。

Claim (excerpt)：

半導体バルク基板面に平行な横方向に電界を印加した構造に、超短光パルスレーザの光を素子表面垂直方向に対して角度θ(θ=0度〜360度)の方向から照射して半導体バルク中にキャリアを発生させ、基板に対して横方向に電界を印加することによってキャリアを加速することを利用してテラヘルツ電磁波を発生することを特徴とする電界効果テラヘルツ電磁波発生素子

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

固体テラヘルツ帯電磁波発生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-226387 Applicant：広島大学長
特開昭49-029590

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