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J-GLOBAL ID：200903077030453504

プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置

Inventor：
石井 信雄

About 石井 信雄


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994079726
Publication number (International publication number)：1996115901
Application date： Mar. 25, 1994
Publication date： May. 07, 1996
Summary：
【要約】【目的】処理容器に設けられた誘導手段に高周波を印加することにより生成されるプラズマにより、被処理体を処理するプラズマ処理方法において、プラズマの立ち上げを安定させる方法を提供する。【構成】処理容器内に設けられたシャワーヘッドにより不活性ガスを供給し、誘導手段に高周波を印加してプラズマ化させることにより、続いて行う処理ガスのプラズマ立ち上げを安定させる。
Claim (excerpt)：
気密な処理容器内に設けられた被処理体を、誘導手段によりプラズマを生起させ処理するプラズマ生成方法において、不活性ガスを前記処理容器内に導入して前記誘導手段によりプラズマを生起する第一の工程と、前記被処理体を処理する処理ガスを前記処理容器内に導入して前記誘導手段によりプラズマを生起して前記被処理体を処理する第二の工程と、を具備したことを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (5)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/68 ,  H05H 1/46
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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