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J-GLOBAL ID：200903077031588322

二重金属二重スタッド構造によるフレキシブル相互接続を有する電子装置及びその製造方法

Inventor：
ジェイムズ・イー・ライアン

About ジェイムズ・イー・ライアン

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バディ・エルカレー

About バディ・エルカレー


Applicant, Patent owner：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

About インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション


Agent (1)： 坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997121130
Publication number (International publication number)：1998056063
Application date： May. 12, 1997
Publication date： Feb. 24, 1998
Summary：
【要約】【課題】 本発明の目的は、金属マイグレーションへの耐性が高く、しかも同じプロセスを使用して形成することができる、金属導体及び金属-金属精密キャパシタ構造を有する電子装置を提供することである。【解決手段】 高い導電率と金属マイグレーション(migration)の障害に対する高い耐性とを有する金属相互接続部を金属または合金(TI/CuAlSiなど)の2つの層で形成し、その2つの層の間に誘電体を挿入し、導電材料によって2つの層の間に好ましくはレベル間誘電体の開口内に形成されたプラグまたはスタッドの形の接続部を形成する。各層への別々の接続部を形成することによって同じ層から高精度金属-金属キャパシタを形成することができる。相互接続部(及びキャパシタ)はトポグラフィの険しさが低減されており、上に重ねるレベル間誘電体の平坦化を容易にする。
Claim (excerpt)：
相互接続部とキャパシタとを含む電子装置であって、前記相互接続部及び前記キャパシタは第1の金属層と誘電体層と第2の金属層のそれぞれの部分を含み、前記誘電体層は前記第1の金属層と前記第2の金属層との間に挿入され、前記電子装置はさらに前記相互接続部の前記第1の金属層と前記第2の金属層の両方への共通接続部と、前記キャパシタの前記第1の金属層と前記第2の金属層のそれぞれへの別々の接続部を含む、電子装置。
IPC (5)：
H01L 21/768 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (3)：
H01L 21/90 D ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
  • 特開昭58-200566
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-116688   Applicant：ソニー株式会社
  • 半導体集積回路の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-129870   Applicant：日本電気株式会社
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