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J-GLOBAL ID：200903077034818477

電磁波発生装置

Inventor： 谷 正彦 ,  萩行 正憲 ,  瀧川 信一
Applicant, Patent owner： 国立大学法人大阪大学 ,  松下電器産業株式会社
Agent (1)： 新居 広守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006151713
Publication number (International publication number)：2007324310
Application date： May. 31, 2006
Publication date： Dec. 13, 2007
Summary：

【課題】一般的な(増幅を行わない)フェムト秒レーザ光でも高いテラヘルツ出力が得られる電磁波発生装置を提供する。【解決手段】本発明の電磁波発生装置は、照射された光に基づいて電磁波を発生させる電磁波発生装置であって、半導体基板と、前記半導体基板に設けられた略帯状の第1電極と、前記半導体基板に、第1電極に並行する帯状の第2電極とを備え、前記第1電極は前記第2電極に向けて突出する先鋭凸部を有し、前記先鋭部は90度未満の鋭角をもつ。また、先鋭凸部の先端を含む複数の領域に複数の集光スポットを形成する光学素子を備える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

照射された光に基づいて電磁波を発生させる電磁波発生装置であって、 半導体基板と、 前記半導体基板に設けられた略帯状の第1電極と、 前記半導体基板に、第1電極に並行する帯状の第2電極と を備え、 前記第1電極は前記第2電極に向けて突出する先鋭部を有し、 前記先鋭部は90度未満の鋭角をもつ ことを特徴とする電磁波発生装置。

IPC (1)：

H01S 1/02

FI (1)：

H01S1/02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• テラヘルツ波発生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-211012   Applicant：浜松ホトニクス株式会社