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J-GLOBAL ID：200903077038268048

イオン化スパッタリング装置

Inventor： 佐々木 雅夫 ,  船戸 清彦
Applicant, Patent owner： アネルバ株式会社
Agent (1)： 保立 浩一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998122273
Publication number (International publication number)：1999315376
Application date： May. 01, 1998
Publication date： Nov. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】 イオン化スパッタに特有な基板周辺部での成膜の不均一性の問題を解消する。【解決手段】 スパッタ粒子が基板9以外の場所に付着するのを防ぐための防着シールド61,63は、基板9の表面の方向で基板9の周縁から50mm以内の空間領域であるとともに基板9の表面に垂直な方向でプラズマが形成される側に50mm以内の空間領域である禁止領域aを占めることがない。プラズマの拡散が規制されずに外方に広く拡散するため、基板9の周辺部においてシース電界Eの向きが斜め外側に向いてしまうことがなく、中央部と同様にイオン化スパッタ粒子が入射し、均一に成膜が行われる。

Claim (excerpt)：

排気系を備えたスパッタチャンバーと、スパッタチャンバー内に所定のガスを導入するガス導入系と、スパッタチャンバー内に被スパッタ面が露出するようにして設けられたターゲットと、ターゲットに高周波電圧を印加してターゲットをスパッタするスパッタ電源と、スパッタによってターゲットから放出されたスパッタ粒子をイオン化させるイオン化手段と、イオン化したスパッタ粒子が入射する位置に基板を保持する基板ホルダーと、イオン化したスパッタ粒子を基板により垂直に入射させ、基板の表面に形成された微細なホールの底面への成膜速度を高める電界を設定する電界設定手段とを備えたイオン化スパッタリング装置であって、前記イオン化手段は、ターゲットと基板との間のスパッタ粒子飛行空間にプラズマを形成してスパッタ粒子をイオン化させるものであり、前記スパッタチャンバーの内部には、スパッタによって放出されたスパッタ粒子が基板以外の場所に付着するのを防ぐための防着シールドが設けられており、この防着シールドは、基板の表面の方向で基板の周縁から50mm以内の空間領域であるとともに、基板の表面に垂直な方向で前記プラズマが形成される側に50mm以内の空間領域である禁止領域を占めることがない寸法形状及び配置位置となっていることを特徴とするイオン化スパッタリング装置。

IPC (2)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/203

FI (2)：

C23C 14/34 T ,  H01L 21/203 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• スパッタ方法およびスパッタ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-105250   Applicant：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社
• プラズマの発生及びスパッタのためのコイル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-155665   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド