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J-GLOBAL ID:200903077044905904

プローブ構造

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高島 一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995260574
Publication number (International publication number):1997101326
Application date: Oct. 06, 1995
Publication date: Apr. 15, 1997
Summary:
【要約】【解決手段】 絶縁性基板1の一方の面側1aに接点部2が形成され、絶縁性基板1の他方の面側1bに導電性回路3が形成される。接点部2と導電性回路3とが、絶縁性基板1の厚み方向の貫通孔4内に形成された導通路5を介して導通される。接点部2は、硬度100〜700Hkの深層1cと、硬度10〜300Hkの中層1bと、硬度700〜1200Hkの表層1aとを順次積層した構造を有する。表層1aの引っ張り応力が50kg/mm2 以下である。【効果】 IC等の微細な被検査体の電気的テスト、特にバーンインテストにおいて、低くかつ安定した接触抵抗を維持する。半田バンプを形成して利用するようなテスト方法においては、検査後の被検査体の半田成分が当接部に付着しない。被検査体との接触開閉の繰り返しに対しても、初期の接触状態からの劣化が少なく、信頼性の高いテストを行うことができる。
Claim (excerpt):
絶縁性基板の一方の面側に導電性の接点部が形成され、絶縁性基板の他方の面側に導電性回路が形成され、接点部と導電性回路とが、絶縁性基板の厚み方向の貫通孔内に形成された導通路を介して導通され、接点部が、硬度100Hk以上300Hk未満の深層と、硬度10Hk以上300Hk以下の中層と、硬度700Hk以上1200Hk以下の表層とを順次積層した構造を有することを特徴とするプローブ構造。
IPC (4):
G01R 1/073 ,  G01R 1/06 ,  G01R 1/067 ,  H01L 21/66
FI (4):
G01R 1/073 F ,  G01R 1/06 F ,  G01R 1/067 B ,  H01L 21/66 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 特開平4-330749
  • プローブ構造
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-134930   Applicant:日東電工株式会社
  • 導通検査装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-101500   Applicant:日東電工株式会社
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