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J-GLOBAL ID：200903077080732951

均一サイズの粒子の製造

Inventor： ドブソン,ピータ・ジェームズ ,  サラタ,オレグ・ヴィクトロヴィッチ ,  ハル,ピーター・ジェームズ ,  ハッチソン,ジョン・レイアード
Applicant, Patent owner： アイシス・イノベーション・リミテッド
Agent (1)： 社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1995514293
Publication number (International publication number)：1999514492
Application date： Nov. 15, 1994
Publication date： Dec. 07, 1999
Summary：

【要約】金属又は金属化合物の量子ドット又は零次元微結晶を、特定金属の所定濃度における蒸発可能な溶媒の溶液を形成し、実質的に均一な所定サイズの溶液の小滴を形成する方法によって製造する。その後、これらの小滴を気相試薬と接触させ、それによって、所望の金属又は金属化合物の量子ドットを形成する。溶媒は小滴と、気相試薬との接触前、中及び/又は後に除去することができる。このように形成された金属又は金属化合物の量子ドットを基板に付着させる。量子ドットはフィルムとしてのポリマー中に包含されることができる。溶液の濃度と小滴のサイズとを制御することによって、量子ドットのサイズを厳密に制御することができる。

Claim (excerpt)：

金属又は金属化合物の実質的に均一サイズの粒子の製造方法であって、化学的に結合した形の金属を含む、蒸発可能な溶媒の溶液を形成する工程と、この溶液を実質的に均一なサイズの小滴に形成する工程と、金属又は金属化合物を形成するように、これらの小滴を気相試薬と接触させる工程と、これらの小滴から蒸発可能な溶媒を除去する工程とを含む前記方法。

IPC (5)：

H01L 29/06 ,  B22F 9/26 ,  C01G 11/02 ,  C01G 21/21 ,  G02F 1/015 601

FI (5)：

H01L 29/06 ,  B22F 9/26 Z ,  C01G 11/02 ,  C01G 21/21 ,  G02F 1/015 601 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 安定化された半導体超微粒子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-275456   Applicant：三井東圧化学株式会社
• 超微粒子発光素子及びその製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-360515   Applicant：日本ビクター株式会社
• 特開平4-238304