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J-GLOBAL ID：200903077122394601

不揮発性半導体メモリ装置のデータ処理能力を増大する方法

Inventor： ミッキイ・リー・フランドリッチ ,  リチャード・ジョセフ・ドゥラント ,  ロドニイ・アール・ロズマン
Applicant, Patent owner： インテル・コーポレーション
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994162920
Publication number (International publication number)：1995141247
Application date： Jun. 22, 1994
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ページ緩衝記憶機構を有するメモリ装置のデータ処理能力を高める。【構成】 ページ緩衝記憶機構の一つの面が、装置のメモリアレイをプログラムするために使用され、一方でほかの面が、次のプログラム動作に使用されるデータをロードされている。次のクロックサイクルにおいて、第一面に格納されている第一ブロックのデータでメモリアレイをプログラムすることを、メモリ装置にコマンドする。第二の書き込み動作は、第二ブロックのデータをページ緩衝記憶機構の第二面にロードすることにより準備される。メモリアレイが第一面からプログラムされている間に第二面のローディングが行われ、その第二ブロックのデータでフラッシュメモリアレイをプログラムすることをアレイ制御器にコマンドする。

Claim (excerpt)：

ページ緩衝記憶機構が第一面と第二面の2面を有し、アレイ制御器がメモリアレイのプログラミングを制御し、アレイ制御器が前記ページ緩衝記憶機構へ接続されていて、前記メモリアレイ、前記アレイ制御器及び前記ページ緩衝記憶機構を有する不揮発性半導体メモリ装置のデータ処理能力を増大する方法において、a)第一面にデータの第一バイトをロードし;b)その第一面に格納されたデータの第一バイトでメモリアレイをプログラムすることをアレイ制御器にコマンドし;c)アレイ制御器が第一面に格納されたデータの第一バイトでメモリアレイをプログラムする間に、第二面にデータの第二バイトをロードし;d)第二面に格納されたデータの第二バイトでメモリアレイをプログラムすることをアレイ制御器にコマンドする段階を含んでいることを特徴とする前記方法。

IPC (2)：

G06F 12/00 560 ,  G11C 16/06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体ディスク装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-052815   Applicant：シャープ株式会社
• 特開平4-167297
  
• 特開昭61-153728
  
• 特開昭58-051367