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J-GLOBAL ID:200903077123731792
半導体ウェーハのポリッシング装置及び方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
青山 葆 (外2名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):1995529646
Publication number (International publication number):1998501098
Application date: Apr. 19, 1995
Publication date: Jan. 27, 1998
Summary:
【要約】半導体ウェーハをポリッシングする(磨く)装置は、ハウジング、該ハウジング内にあってポリッシングブロックの第1表面に対向する半導体ウェーハの第1表面にワックスを施すマウント装置(56)、ハウジング内にあって半導体ウェーハの第2表面を磨く第1半導体ウェーハポリッシャ(58)を有する。半導体ウェーハの第2表面は半導体ウェーハの第1表面に対向する。第1搬送機構(62)はハウジング内にあってポリッシングブロックと半導体ウェーハをマウント装置から近傍の第1半導体ウェーハポリッシャに搬送する。コントローラはマウント装置、第1半導体ウェーハポリッシャ、及び第1搬送機構を制御する。
Claim (excerpt):
半導体ウェーハのポリッシング装置は、 ハウジングと、 上記ハウジングの中にあり、ポリッシングブロックの第1表面に対向する半導体ウェーハの第1表面にワックスを施すマウント装置と、 上記ハウジングの中にあり、上記半導体ウェーハの第1表面の反対側にある第2表面を磨くための第1半導体ウェーハポリッシャと、 上記ハウジングの中にあり、上記ポリッシングブロックと半導体ウェーハをマウント装置から隣接する第1半導体ウェーハポリッシャに搬送する搬送機構、 上記マウント装置、第1半導体ウェーハポリッシャ、及び第1搬送機構の動作を制御するコントローラと、を備えている。
IPC (3):
H01L 21/304 321
, B24B 37/04
, H01L 21/304
FI (4):
H01L 21/304 321 E
, B24B 37/04 E
, H01L 21/304 321 M
, H01L 21/304 321 H
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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特開昭60-119726
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特開昭63-316451
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特開昭63-198351
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自動研磨システム
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-006912
Applicant:三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
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ウェーハ研磨装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-250125
Applicant:三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
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特開昭60-119726
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特開昭63-316451
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特開昭63-198351
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