多ビーム半導体量子井戸レーザ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中島淳 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993162990
Publication number (International publication number)：1994120614
Application date： Jun. 30, 1993
Publication date： Apr. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】改良された多ビーム量子井戸ダイオードレーザを提供すること。【構成】層c乃至層mは、MOCVD法によって基板bを横切るように均一にエピタキシャル成長する。層k,l,及びmを介してストップ層jをエッチングする前に、ペアのメサが4窒化3ケイ素等によってペアのストライプのマスキングによって形成され、メサの上面に残るマスクによってエッチングされたウェハーは、MOCVD反応器内に再挿入され、層nはメサの上面以外のどこででも選択的に再成長する。その後、メサの上部のストライプマスクは除去され、かつ成長しすぎたペアのメサ43、44の間に配置されたストライプからなるリフトオフマスクが付着され、次いで、金属製層oがウェハー全体に付着された後にリフトオフマスクはエッチング除去され、これにより各ペアの過度に成長したメサの間で開口した非金属製領域によって分離されたアドレス可能な個々の接触面を残すことができる。

Claim (excerpt)：

多ビーム半導体量子井戸レーザであって、(a)重正孔及び軽正孔のエネルギバンドエッジを表わし、レイジングが可能であり、かつ重正孔バンド遷移からはTEモードの偏光利得を、軽正孔バンド遷移からはTMモードの偏光利得をそれぞれ供給する材料からなる少なくとも第1と第2の活性部分を有する半導体本体と、(b)前記活性本体部分へキャリアを導入するための電極と、(c)前記活性本体部分と協働する光反射体と、(d)前記活性部分のしきい値キャリア密度に応答して前記活性本体部分のTEモード又はTMモードでレイジングする前記活性部分と、(e)前記第1の活性部分をTEモードでレイジングさせるように駆動するための手段と、前記第2の活性部分をTMモードでレイジングさせるように駆動するための手段と、を備える多ビーム半導体量子井戸レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平1-257386
特開平3-184388
特開平4-245494

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