半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：根本進
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994232147
Publication number (International publication number)：1996078730
Application date： Aug. 31, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】【構成】 n型シリコン基板2の表面側に接続されるカソード電極5bと、その基板2の表面上に形成される半導体素子3のp型コンタクト層3dに接続されるアノード電極5aとを、同一の材料から形成する。その基板2のカソード電極5bとの接続部に、その半導体素子3を構成する半導体元素がドーパントとしてドープされる。【効果】アノード電極とカソード電極の材料を共通化して安定なオーミック接触を得ることができるので、製造工程を簡単化すると共にフリップチップ化することで配線および組立のためのコストを低減できる。

Claim (excerpt)：

n型シリコン基板と、その基板の表面側に形成される半導体素子と、その基板に接続されるカソード電極と、その半導体素子のp型コンタクト層に接続されるアノード電極とを備える半導体装置において、そのカソード電極の材料とアノード電極の材料とは同一とされ、そのカソード電極は基板の表面側に接続され、その基板のカソード電極との接続部に、その半導体素子を構成する半導体元素がドーパントとしてドープされている半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-043519 Applicant：京セラ株式会社
特開昭51-045987
特開昭52-074280

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