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J-GLOBAL ID：200903077227616219

電子放出素子

Inventor： 吉川 高正 ,  小笠原 清秀 ,  伊藤 寛 ,  山口 政孝 ,  岩崎 新吾 ,  根岸 伸安 ,  中馬 隆
Applicant, Patent owner： パイオニア株式会社
Agent (1)： 藤村 元彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997071864
Publication number (International publication number)：1998269932
Application date： Mar. 25, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】 電子放出効率の高い電子放出素子を提供する。【解決手段】 電子を供給する半導体層、半導体層上に形成された多孔質半導体層及び多孔質半導体層上に形成され真空空間に面する金属薄膜電極からなり、半導体層及び金属薄膜電極間に電界を印加し電子を放出する電子放出素子であって、多孔質半導体層はその膜厚方向において互いに異なる多孔度を有する少なくとも2以上の多孔質層を有する。

Claim (excerpt)：

電子を供給する半導体層、前記半導体層上に形成された多孔質半導体層及び前記多孔質半導体層上に形成され前記真空空間に面する金属薄膜電極からなり、前記半導体層及び前記金属薄膜電極間に電界を印加し電子を放出する電子放出素子であって、前記多孔質半導体層はその膜厚方向において互いに異なる多孔度を有する少なくとも2以上の多孔質層を有することを特徴とする電子放出素子。

IPC (2)：

H01J 1/30 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01J 1/30 S ,  H01J 1/30 M ,  H01L 33/00 L

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 半導体冷電子放出素子及びこれを用いた装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-050093   Applicant：新技術事業団
• 特開昭63-257157
  
• 特公昭52-024829