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J-GLOBAL ID：200903077239295973

磁気抵抗効果素子、再生ヘッド、および記録再生システム

Inventor： 林 一彦 ,  大橋 啓之 ,  石綿 延行 ,  中田 正文 ,  石 勉 ,  本庄 弘明 ,  石原 邦彦 ,  藤方 潤一 ,  松寺 久雄 ,  柘植 久尚 ,  上條 敦
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001251068
Publication number (International publication number)：2002141583
Application date： May. 18, 1999
Publication date： May. 17, 2002
Summary：

【要約】【課題】 フリー層に大きな縦バイアスを印加しフリー層の磁区をコントロール出来、R-Hループ上でヒステリシスが少なく、記録媒体上の磁気情報の再生でも、ノイズの少ない再生信号が得られる磁気抵抗効果ヘッドを提供する。【解決手段】 磁気抵抗効果素子としてフリー層/非磁性層/固定層を基本構成とするトンネル接合素子を用いたシールド型磁気抵抗効果素子において、フリー層の少なくとも一部に接触する縦バイアス層が設けられていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

Claim (excerpt)：

フリー層/非磁性層/固定層を備え、フリー層と固定層の間を非磁性層を介して電流が流れ、該フリー層に接触する縦バイアス層パターンが設けられている磁気抵抗効果素子であり、該フリー層パターンの端部近傍で、該フリー層パターンの下部に該フリー層パターン下面と該縦バイアス層上面が面で接するように縦バイアス層パターンが形成されているか、あるいは該フリー層パターンの上部に該フリー層パターン上面と該縦バイアス層パターン下面とが面で接するように縦バイアス層パターンが形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/26

FI (4)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/26 ,  G01R 33/06 R

F-Term (19)：

2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AC01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA02 ,  5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA18 ,  5D034CA06 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5E049DB02 ,  5E049DB12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 磁気抵抗効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-053065   Applicant：ティーディーケイ株式会社
• 磁気抵抗効果素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-319255   Applicant：三洋電機株式会社
• 磁気抵抗効果多層膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-092566   Applicant：アルプス電気株式会社