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J-GLOBAL ID：200903035989036835

磁気抵抗効果多層膜

Inventor：
梅津 英治

About 梅津 英治

, 
長谷川 直也

About 長谷川 直也

, 
牧野 彰宏

About 牧野 彰宏


Applicant, Patent owner：
アルプス電気株式会社

About アルプス電気株式会社


Agent (1)： 志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997092566
Publication number (International publication number)：1998284769
Application date： Apr. 10, 1997
Publication date： Oct. 23, 1998
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、フリー強磁性層に縦バイアスを印加するための層をフリー強磁性層に積層する形に設け、フリー強磁性層に縦バイアスを印加するための層とフリー強磁性層との境界部分への不要元素混入のおそれをなくして縦バイアスによる効果を充分に得ることができるとともに、線形応答性に優れ、バルクハウゼンノイズを抑制した磁気抵抗効果型センサを提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、磁化反転がピン止めされたピン止め強磁性層32と磁化反転が自由にされたフリー強磁性層34を非磁性層33を介し積層してなる磁気抵抗効果多層膜であり、前記フリー強磁性層34の上面または下面に軟磁性層37が積層され、前記軟磁性層37の上面または下面に反強磁性層38が少なくとも一層積層されてなることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
磁化反転がピン止めされたピン止め強磁性層と磁化反転が自由にされたフリー強磁性層を非磁性層を介し積層してなる磁気抵抗効果多層膜であり、前記フリー強磁性層の上面または下面に軟磁性層が積層され、前記軟磁性層の上面または下面に反強磁性層が少なくとも一層積層されてなることを特徴とする磁気抵抗効果多層膜。
IPC (3)：
H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08
FI (3)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (8)
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Cited by examiner (5)
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