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J-GLOBAL ID:200903077270902870

磁気抵抗効果型ヘッド

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 舘野 千惠子
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993122187
Publication number (International publication number):1994309631
Application date: Apr. 27, 1993
Publication date: Nov. 04, 1994
Summary:
【要約】【目的】 MR素子の信頼性、製造歩留りを高く保ち、かつ、Co系アモルファス膜を横バイアス膜とした場合でもバルクハウゼン雑音のない磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。【構成】 磁気抵抗効果膜と横バイアス用軟磁性膜と反強磁性膜を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、反強磁性膜が、膜面方向において結晶構造が変化している磁気抵抗効果型ヘッドとする。更に、横バイアス用軟磁性膜をCoを主成分とした非晶質合金とし、反強磁性膜をFeMn合金し、この合金の結晶構造が面心立方格子を含み、この面心立方格子からなる結晶組織が膜内で占める割合が膜面方向で変化し、横バイアス用軟磁性膜と反強磁性膜との間にNiとFeを主成分とした膜を膜厚方向に挟み込んだ磁気抵抗効果型ヘッドとする。
Claim (excerpt):
磁気抵抗効果膜と横バイアス用軟磁性膜と反強磁性膜とを有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、反強磁性膜が、膜面方向において結晶構造が変化していることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 磁気抵抗効果センサ
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-076774   Applicant:株式会社東芝

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