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J-GLOBAL ID:200903077365024241
光電子発生方法及び装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
高矢 諭 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998025898
Publication number (International publication number):1999224630
Application date: Feb. 06, 1998
Publication date: Aug. 17, 1999
Summary:
【要約】【課題】 発生した電子をRF加速したとき、低いエミッタンスが得られるようにする。【解決手段】 フォトカソード12の表面に対して斜めの方向から光ビーム42を照射して、フォトカソード12の正面から光電子を発生させる際に、前記フォトカソード12に入射される光ビーム42の断面形状を、ビーム入射方向が短い楕円形として、フォトカソード12表面上の光ビーム形状が、真円又は略円形となるようにする。
Claim (excerpt):
フォトカソード表面に対して斜めの方向から光ビームを照射して、フォトカソード正面から光電子を発生させる際に、前記フォトカソードに入射される光ビームの断面形状を、ビーム入射方向が短い楕円形とし、フォトカソード表面上の光ビーム形状が、真円又は略円形となるようにしたことを特徴とする光電子発生方法。
IPC (2):
FI (2):
H01J 37/073
, G21K 1/00 E
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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特開平4-322049
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高輝度スピン偏極電子線源
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-068713
Applicant:株式会社アプコ
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特開昭56-058302
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