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J-GLOBAL ID：200903077365220016
酸化物超電導導体及びその製造装置並びに製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
志賀 正武 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000085240
Publication number (International publication number)：2001266667
Application date： Mar. 24, 2000
Publication date： Sep. 28, 2001
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、ガス供給部毎に原料の種類や温度、酸素分圧を任意に制御できる構成とすることで、結晶配向性に優れた臨界電流密度の高い酸化物超電導導体を製造することができる技術の提供を目的とする。【解決手段】 本発明は、基材表面に酸化物超電導層を堆積させるCVD反応を行うリアクタ31と、リアクタ31に原料ガスを供給する原料ガス供給手段54と、前記リアクタ内のガスを排気するガス排気手段80と、これらを制御する制御手段82とが備えられてなり、前記リアクタ31が、基材導入部34と、反応生成室35A、35B、35Cと、基材導出部36とに区画され、これら隔壁に基材通過孔39が形成されて前記リアクタの内部に基材導入部と複数の反応生成室と基材導出部36とを通過する基材搬送領域Rが形成され、直列配置された各反応生成室が独自に温度制御自在に構成されてなることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
銀からなる基材上に、X線極点分析図における4回対称性を示す2軸配向された下地酸化物超電導層が形成され、この下地酸化物超電導層上に1層以上の上部酸化物超電導層が積層されてなり、前記下地酸化物超電導層が組成式Nd1Ba2Cu3Ox、Yb1Ba2Cu3Ox、または、Sm1Ba2Cu3Oxのいずれかで示されるものを主体とする酸化物超電導層であることを特徴とする酸化物超電導導体。
IPC (2)：
H01B 12/06 ZAA
, H01B 13/00 565
H01B 12/06 ZAA
, H01B 13/00 565 D
5G321AA01
, 5G321AA04
, 5G321BA01
, 5G321BA03
, 5G321BA05
, 5G321BA11
, 5G321CA04
, 5G321CA21
, 5G321CA27
, 5G321DB40
, 5G321DB47
